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FDMS8095AC数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS8095AC

功能描述

双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDMS8095AC规格书详情

描述 Description

这些双 N 沟道和双 P 沟道增强型功率 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺专用于最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能。缩小用于实现有源箝位拓扑的面积,实现最佳功率密度。

特性 Features

• Q1:N沟道
• 最大值 rDS(on) = 30 mΩ(VGS = 10 V、ID = 6.2 A)
• 最大值 rDS(on) = 41 mΩ(VGS = 6 V、ID = 5.2 A)Q2:P-沟道
• 最大值 rDS(on) = 1200 mΩ(VGS = -10 V、ID = -1 A)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8095AC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±150

  • VGS Max (V)

    :N: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :±4.0

  • ID Max (A)

    :N: 27.0

  • PD Max (W)

    :Q1: 50.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :N: 30.0

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.8

  • Ciss Typ (pF)

    :N: 1441

  • Package Type

    :WDFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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