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FDMS8090中文资料100V 对称双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40A,13mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8090

功能描述

100V 对称双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40A,13mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 16:12:00

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FDMS8090规格书详情

描述 Description

该器件在双Power 56(5 毫米 X 6 毫米 MLP)封装中包括两个快速开关(QGD最小化)100V N 沟道 MOSFET。封装增强用于出色的热性能。

特性 Features

•最大值 rDS(on) = 13 mΩ(VGS = 10 V, ID = 10 A 时)
•最在值 rDS(on) = 20 mΩ(VGS = 6 V, ID = 8 A)
•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• DC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8090

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :10

  • PD Max (W)

    :59

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 13.0

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10

  • Ciss Typ (pF)

    :1285

  • Package Type

    :WDFN-8

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