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FDMS8020中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,131A,2.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8020

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,131A,2.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 11:26:00

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FDMS8020规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

• Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 26 A
• Max rDS(on) = 3.6 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 21.5 A
• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• 消费电子

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8020

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :131

  • PD Max (W)

    :65

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :2855

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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