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FDMS7602S中文资料双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,30A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS7602S

功能描述

双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,30A

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 11:45:00

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FDMS7602S规格书详情

描述 Description

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点,以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

特性 Features

• Q1: N-ChannelMax RDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 AMax RDS(on) = 12 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A
• Q2: N-ChannelMax RDS(on) = 5.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 17 AMax RDS(on) = 6.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14 A
• RoHS Compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS7602S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1: 30.0

  • PD Max (W)

    :Q1: 2.2; Q2: 2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 12.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7.9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :2020

  • Package Type

    :DFN-8

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