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FDMS3668S数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS3668S

功能描述

不对称双 N 沟道,PowerTrench® 功率级 MOSFET,30V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:00:00

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FDMS3668S规格书详情

描述 Description

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。

特性 Features

• Q1: N-ChannelMax rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 AMax rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A
• Q2: N-ChannelMax rDS(on) = 5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 AMax rDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A
• Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
• MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switching node ringing
• RoHS Compliant

应用 Application

• 笔记本电脑

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS3668S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :Q1: 2.7

  • ID Max (A)

    :Q1: 13.0

  • PD Max (W)

    :Q1:2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 11.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :1935

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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