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FDMS3606AS数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS3606AS

功能描述

30V,不对称双 N 沟道 MOSFET,PowerTrench® 功率级

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:47:00

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FDMS3606AS规格书详情

描述 Description

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

特性 Features

• Q1: N沟道
•VGS = 4.5 V且ID = 11时,最大RDS(on) = 11 mΩ Q2: N沟道
•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
•符合RoHS标准

应用 Application

• 笔记本电脑

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS3606AS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :Q1: 2.7

  • ID Max (A)

    :Q1: 13.0

  • PD Max (W)

    :Q1:2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 11.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :27

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27

  • Ciss Typ (pF)

    :4129

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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