FDMS3604S中文资料不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V数据手册ONSEMI规格书
FDMS3604S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1： N沟道
•最大值 rDS(on) = 11 mΩ（VGS = 4.5 V且ID = 11 A）Q2： N 沟道 VGS = 10 V 且 ID = 23 A时，最大值 rDS(on) = 2.6 mΩ
•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
•符合RoHS标准
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3604S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.7
- ID Max (A)
：Q1: 13.0
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 8.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：27
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：22
- Ciss Typ (pF)
：3240
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
NA |
9688 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
QFN |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
25000 |
代理原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-56-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
QFN |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power-56-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
