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FDMS10C4D2N中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100V，124A，4.2mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS10C4D2N规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）
• 最大 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 6 V、ID = 22 A）
•ADD
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
• 降低了开关噪声/EMI
•MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS10C4D2N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：124
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：2945
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
18+ |
有货原装 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2108+ |
QFN |
1000 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
PQFN-8 |
15269 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/ |
24+ |
DFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
DFN5X6 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ON |
23+ |
有货原装 |
1000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-8(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
