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FDMS10C4D2N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100V，124A，4.2mΩ N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）\n• 最大 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 6 V、ID = 22 A）\n•ADD\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n• 降低了开关噪声/EMI\n•MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS2572	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMS2672	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-56	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市创博伟业科技有限公司	Fairchild
FDMS3669S	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-8	ON 上传：深圳市科芯源微电子有限公司	ON
FDMS6681Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-8	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市中联芯电子有限公司	Fairchild

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更多FDMS10C4D2N供应商更新时间2025-11-4 8:18:00