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FDMS10C4D2N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100V，124A，4.2mΩ; • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）\n• 最大 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 6 V、ID = 22 A）\n•ADD\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n• 降低了开关噪声/EMI\n•MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n•符合RoHS标准\n; N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDMS10C4D2N

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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100V，124A，4.2mΩ; • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）\n• 最大 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 6 V、ID = 22 A）\n•ADD\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n• 降低了开关噪声/EMI\n•MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n•符合RoHS标准\n;

N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
124
PD Max (W)：
125
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
27
Ciss Typ (pF)：
2945
Package Type：
PQFN-8

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