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FDMS0312S中文资料N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,42A,4.9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS0312S

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,42A,4.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:24:00

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FDMS0312S规格书详情

描述 Description

FDMS0312S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 18 A时,最大rDS(on) = 4.4 mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 14 A时,最大rDS(on) = 5.8 mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•SyncFET肖特基体二极管
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS0312S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :42

  • PD Max (W)

    :46

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :2120

  • Package Type

    :PQFN-8

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