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FDMQ86530L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,GreenBridge™ 系列高效桥式整流器,60V,8A,17.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMQ86530L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,GreenBridge™ 系列高效桥式整流器,60V,8A,17.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 20:00:00

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FDMQ86530L规格书详情

描述 Description

该四通道 MOSFET 解决方案将二极管电桥的功率损耗降低了 10 倍。

特性 Features

• Max rDS(on) = 17.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A
• Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7 A
• Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6.5 A
• Substantial efficiency benefit in PD solutions
• RoHS Compliant

应用 Application

• 中央办公室

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMQ86530L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Bridge

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :8

  • PD Max (W)

    :22

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :17.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11

  • Ciss Typ (pF)

    :1725

  • Package Type

    :WDFN-12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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