FDMF6824B中文资料Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6823B将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6mm封装中。通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)优化。 XS™™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6824B 还为提高轻负载效率整合了跳跃模式 (SMOD#)。 FDMF6824B 还提供了 3 态 5V PWM 输入，可实现与广泛的 PWM 控制器的兼容性。

特性 Features

• 高于 93% 的峰值效率
• 高电流处理能力： 55 A
• 高性能 PQFN 铜片封装
• 三态 5 V PWM 输入驱动器
• 跳频模式 SMOD#（低侧门关断）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB# 引脚）
• SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
• 飞兆 PowerTrench® 技术 MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
• 集成式自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压锁定(UVLO)
• 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
• 薄型 SMD 封装。
• 基于 Intel® 4.0 DrMOS 标准

简介

FDMF6824B属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由制造生产的FDMF6824B全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。