FDMF6708N中文资料Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6708将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm封装中。通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)优化。 XS™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6708N还具有可提高轻负载效率的过零检测(ZCD_EN#)功能。 FDMF6708N还提供与大量PWM控制器兼容的三态5V PWM输入。

特性 Features

•超过93%的峰值效率
•高电流处理能力： 45A
•高性能PQFN铜片封装
•三态5V PWM输入驱动器
•通过ZCD_EN#输入使能的二极管自动仿真（跳频模式）
•为过温情况提供热警告标志
•驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
•ZCD_EN#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
•飞兆PowerTrench®技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
•低端MOSFET中的飞兆SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
•集成自举肖特基二极管
•实现直通保护的自适应栅极驱动时序
•欠压闭锁(UVLO)
•为实现开关频率达到1MHz而优化
•薄型SMD封装
•基于Intel® 4.0 DrMOS标准
•飞兆绿色封装并符合RoHS标准

简介

FDMF6708N属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由制造生产的FDMF6708N全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。