丝印：22CAN7CC；Package：Power56；MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH, Power Stage, Asymetric Dual

General Description This device includes two specialized N−Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to pro

文件：843.49 Kbytes 页数：16 Pages

ONSEMI

安森美半导体

不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1： N沟道\n•最大值 rDS(on) = 11 mΩ（VGS = 4.5 V且ID = 11 A）Q2： N 沟道 VGS = 10 V 且 ID = 23 A时，最大值 rDS(on) = 2.6 mΩ\n•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

3W HIGH POWER WHITE LED DRIVER

文件：559.77 Kbytes 页数：6 Pages

FOSLINK

3W HIGH POWER WHITE LED DRIVER

文件：559.77 Kbytes 页数：6 Pages

FOSLINK

Noise Filters

文件：3.47095 Mbytes 页数：51 Pages

NEC

瑞萨