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FDMS3602S数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS3602S

功能描述

不对称双 N 沟道 MOSFET,PowerTrench® 功率级,25V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:39:00

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FDMS3602S规格书详情

描述 Description

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。

特性 Features

•Q1: N 沟道
•最大值RDS(on) = 8.1mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 14 A)Q2: N 沟道
•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS3602S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :25

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1: 15.0

  • PD Max (W)

    :Q1:2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 8.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 5.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :27

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :3097

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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