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FDMS3602S	文件：582.82 Kbytes Page：15 Pages	25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features 文件：582.82 Kbytes 页数：15 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS3602S	文件：2.00852 Mbytes Page：15 Pages	丝印：220AN7OC；Package：PQFN；PowerTrench짰 Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET 文件：2.00852 Mbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS3602S	文件：300 bytes Page：1 Pages	不对称双 N 沟道 MOSFET，PowerTrench® 功率级，25V 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 •Q1: N 沟道 \n•最大值RDS(on) = 8.1mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 14 A）Q2： N 沟道\n•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSP3602	文件：176.84 Kbytes Page：5 Pages	SYNCHRONOUS BOOST DC/DC CONVERTER 文件：176.84 Kbytes 页数：5 Pages	FOSLINK	FOSLINK
FSP3602CAK	文件：176.84 Kbytes Page：5 Pages	SYNCHRONOUS BOOST DC/DC CONVERTER 文件：176.84 Kbytes 页数：5 Pages	FOSLINK	FOSLINK
HRPS3602	文件：491.45 Kbytes Page：2 Pages	Pushbutton switch, right angle, illumination 文件：491.45 Kbytes 页数：2 Pages	APEX-ELECTRONICS	APEX-ELECTRONICS

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
Q1
PD Max (W)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
27
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
21
Ciss Typ (pF)：
3097
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMS3602S供应商更新时间2025-10-7 14:14:00

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