FDMS3662中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，39A，14.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS3662规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•在VGS = 10V且ID = 8.9A时，最大值RDS(on) = 14.8mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3662
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：8.9
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：14.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：54
- Ciss Typ (pF)
：3470
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1622+ |
QFN8 |
32 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
80000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
N/A |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN-85X6 |
5000 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
Power-56-8 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
DFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
DFN5*6 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDMS3662即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN5*6 |
504681 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 |
