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FDMS3662

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,39A,14.8mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •在VGS = 10V且ID = 8.9A时,最大值RDS(on) = 14.8mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS3662

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100V, 49A, 14.8m廓

文件:323.37 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HP-3662-B

HAND HELD PLASTIC STYLE 3

文件:225.92 Kbytes 页数:2 Pages

BUD

IW3662

Low Voltage (12VAC) Dual-Mode Digital

文件:539.91 Kbytes 页数:7 Pages

DIALOGDialog Semiconductor

戴乐格

K3662

Switching Regulator, DC−DC Converter, Motor Drive Applications

文件:203.31 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4.5

  • ID Max (A):

    8.9

  • PD Max (W):

    104

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    14.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    12

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    54

  • Ciss Typ (pF):

    3470

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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PQFN-8
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