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FDMS3660AS数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS3660AS规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。
特性 Features
•
• Q1： N 沟道
• rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A
• Q2： N 沟道
• rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A
• rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
• 符合 RoHS 标准
• RoHS Compliant
应用 Application
• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3660AS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.7
- ID Max (A)
：Q1: 13.0
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 11.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：30
- Ciss Typ (pF)
：4150
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
13410 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SON8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
Power56 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
SON8 |
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ONSEMI |
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N/A |
6000 |
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ON/安森美 |
23+ |
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询价 |
