不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。 • • Q1： N 沟道 \n• rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A• Q2： N 沟道 \n• rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A\n• rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局• 符合 RoHS 标准\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

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