FDMS3600S中文资料不对称双 N 沟道 MOSFET，PowerTrench® 功率级，25V数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FDMS3600S |
| 参数属性 | FDMS3600S 包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN |
| 功能描述 | 不对称双 N 沟道 MOSFET，PowerTrench® 功率级，25V |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 20:00:00 |
| 人工找货 | FDMS3600S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FDMS3600S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1： N沟道
•在VGS = 4.5 V且ID = 14 A时，最大值RDS(on) = 8.1 mΩ Q2： N沟道
•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
•符合RoHS标准
应用 Application
• 笔记本电脑
简介
FDMS3600S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的FDMS3600S晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：FDMS3600S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：Q1:2.7
- ID Max (A)
：Q1: 15.0
- PD Max (W)
：Q1: 2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 8.1
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 5.6
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：21
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：4042
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
2544 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
67 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
15+ |
QFN |
5763 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
Power56 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
D2PAK |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
PQFN-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
29954 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
MCCC-LVMOSF |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
