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FDMS3572中文资料N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,80V,22A,16.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS3572

功能描述

N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,80V,22A,16.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 17:06:00

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FDMS3572规格书详情

描述 Description

UItraFET器件结合了各种特性,可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对rDS(on)、低ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化,这些器件是高频DC-DC转换器的理想选择。

特性 Features

•最大rDS(on) = 16.5mΩ (VGS = 10V, ID = 8.8A)
•最大rDS(on) = 24mΩ(VGS = 6V, ID = 8.4A)
•VGS = 10V时,Qg = 28nC(典型值)
•低米勒电荷
•优化高频率时的效率
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS3572

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :22

  • PD Max (W)

    :78

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :16.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :27

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :28

  • Ciss Typ (pF)

    :1870

  • Package Type

    :DFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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