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FDMS3572

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 80V, 22A, 16.5mOHM

文件:562.37 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMS3572

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 80V, 22A, 16.5m?

文件:521.24 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMS3572

N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,80V,22A,16.5mΩ

UItraFET器件结合了各种特性,可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对rDS(on)、低ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化,这些器件是高频DC-DC转换器的理想选择。 •最大rDS(on) = 16.5mΩ (VGS = 10V, ID = 8.8A)\n•最大rDS(on) = 24mΩ(VGS = 6V, ID = 8.4A)\n•VGS = 10V时,Qg = 28nC(典型值)\n•低米勒电荷\n•优化高频率时的效率\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS3572-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features + Advanced trench cell design + Low Thermal Resistance + Low Gate Charge

文件:5.91797 Mbytes 页数:6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

FDMS3572_07

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 80V, 22A, 16.5m?

文件:521.24 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    22

  • PD Max (W):

    78

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    16.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    27

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    28

  • Ciss Typ (pF):

    1870

  • Package Type:

    DFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMS3572供应商 更新时间2026-1-17 19:42:00