FDMS3660S中文资料不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V数据手册ONSEMI规格书
FDMS3660S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1: N 沟道
• 最大值 rDS(on) = 8 mΩ（在 VGS = 10 V，ID = 13 A 时）
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
• MOSFET 集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3660S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.7
- ID Max (A)
：Q1: 13.0
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 11.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：17
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：4130
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
原装 |
13411 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Fairchild/ON |
22+ |
Power56 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
12 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SON8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
17+ |
QFN8 |
5300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SON8 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
QFN8 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
