FDMS3660S数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS3660S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1: N 沟道
• 最大值 rDS(on) = 8 mΩ（在 VGS = 10 V，ID = 13 A 时）
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
• MOSFET 集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3660S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.7
- ID Max (A)
：Q1: 13.0
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 11.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：17
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：4130
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
539945 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
16+ |
SON8 |
29027 |
原盘环保/500 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
Power56 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
12 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN8 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN8 |
49300 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
25850 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
FAIRCHI |
23+ |
SON8 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
