双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，30A

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1: N-ChannelMax RDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 AMax RDS(on) = 12 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A\n• Q2: N-ChannelMax RDS(on) = 5.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 17 AMax RDS(on) = 6.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14 A\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：405.94 Kbytes 页数：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Mid-Tier 802.11ac Wi-Fi Access Point

文件：592.48 Kbytes 页数：2 Pages

GRANDSTREAM

32 X 8 PROM(Open Collector Outputs, Three State Outpus)

Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.

文件：145.62 Kbytes 页数：3 Pages

HARRIS

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.00748 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体