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FDMS6673BZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS6673BZ

功能描述

P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V,-82A,6.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:24:00

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FDMS6673BZ规格书详情

描述 Description

FDMS6673BZ旨在最大限度地减少负载开关应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合,提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性 Features

•VGS = -10 V,ID = -15.2 A时,最大rDS(on) = 6.8 mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -11.2 A时,最大rDS(on) = 12.5 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)
•HBM ESD保护等级 = 8 kV典型值 (注3)
•MSL1耐用封装设计
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS6673BZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-82

  • PD Max (W)

    :73

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :12.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :43

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :52

  • Ciss Typ (pF)

    :4444

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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