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FDMS5361L_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,35A,11.7mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS5361L_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,35A,11.7mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:43:00

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FDMS5361L_F085规格书详情

描述 Description

FDMS5361L_F085

特性 Features

典型 rDS(ON) = 11.7m Ω @ VGS = 10V、ID = 16.5 A
典型 Qg(tot) = 37 nC @ VGS = 10 V、ID = 16.5 A
支持 UIS
符合 RoHS 标准
符合 AEC Q101 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS5361L_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 60V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :35

  • PD Max (W)

    :75

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :18

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :15

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :37

  • Ciss Typ (pF)

    :1980

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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