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FDMS5361L_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,35A,11.7mΩ

FDMS5361L_F085 典型 rDS(ON) = 11.7m Ω @ VGS = 10V、ID = 16.5 A\n 典型 Qg(tot) = 37 nC @ VGS = 10 V、ID = 16.5 A\n 支持 UIS\n 符合 RoHS 标准\n 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS5361L-F085

丝印:FDMS5361L;Package:Power56;N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:449.91 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDMS6681Z

FAIRCHILD
QFN-8

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市中联芯电子有限公司

FDMS7682

ON/安森美
QFN

ON/安森美

FDMS8018

FAIRCHILD
QFN8

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     60V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    35

  • PD Max (W):

    75

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

  • Ciss Typ (pF):

    1980

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMS5361L_F085供应商 更新时间2025-10-7 9:18:00