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FDMS6681Z	文件：244.98 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel PowerTrench짰MOSFET -30 V, -49 A, 3.2 m��	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
6681	文件：77.11 Kbytes Page：1 Pages	ORgate	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
6681A	文件：1.30168 Mbytes Page：5 Pages	6680ASeriesSingle-Output,5000WDCPowerSupplies,GPIB	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司
AP6681GMT-HF	文件：94.42 Kbytes Page：4 Pages	LowOn-resistance,SO-8Compatible	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
BX6681	文件：71.09 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp
EM6681	文件：117.93 Kbytes Page：2 Pages	EM6681	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
EN6681B	文件：526.53 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
FDS6681Z	文件：108.49 Kbytes Page：6 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance.ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputersandPortableBatteryPa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6681Z	文件：1.09679 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON)=5.2mQ@VGs=-10V RDS(ON)=9.5mQ@VGs=-4V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
FDS6681Z-NL	文件：1.04599 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FP6681	文件：71.09 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp
LA6681MC	文件：287.57 Kbytes Page：4 Pages	Single-phaseFull-waveFanMotorIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LAKW6681MEL	文件：77.19 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon 尼吉康尼吉康株式会社
LMC6681	文件：793.71 Kbytes Page：26 Pages	Single/LMC6682Dual/LMC6684QuadLowVoltage,Rail-To-RailInput	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LMC6681	文件：750.18 Kbytes Page：24 Pages	LowVoltage,Rail-To-RailInputandOutputCMOS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6681AIM	文件：750.18 Kbytes Page：24 Pages	LowVoltage,Rail-To-RailInputandOutputCMOS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6681AIMX	文件：750.18 Kbytes Page：24 Pages	LowVoltage,Rail-To-RailInputandOutputCMOS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6681AIN	文件：750.18 Kbytes Page：24 Pages	LowVoltage,Rail-To-RailInputandOutputCMOS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6681BIM	文件：750.18 Kbytes Page：24 Pages	LowVoltage,Rail-To-RailInputandOutputCMOS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6681BIN	文件：750.18 Kbytes Page：24 Pages	LowVoltage,Rail-To-RailInputandOutputCMOS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司

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详细参数

型号：
FDMS6681Z
功能描述：
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FDMS6681Z	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	QFN8	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FDMS6681Z	ON/安森美	22+	PQFN8	60000	原装正品	询价
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更多FDMS6681Z供应商更新时间2024-4-25 11:03:00

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