N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 120 A, 1.8 m廓

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Fairchild

仙童半导体

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = -10 V，ID = -30 A时，最大值rDS(on) = 1.8 mΩ \n•VGS = 4.5 V且ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.4 mΩ \n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement MOSFET

Application o Load switch « High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate « DCIDC Power Supplies

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TECHPUBLIC

台舟电子

QI Compliant Wireless Power Transmitter Series

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GENERALPLUS

凌通科技

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

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Intersil

Data Acquisition

Data Acquisition

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Intersil