FDMS8018中文资料30V N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMS8018规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
•VGS = -10 V，ID = -30 A时，最大值rDS(on) = 1.8 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.4 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 消费电子
技术参数
- 制造商编号
：FDMS8018
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：175
- PD Max (W)
：83
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：20
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：28
- Ciss Typ (pF)
：3935
- Package Type
：PQFN-8
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