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FDMS8018数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS8018

功能描述

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDMS8018规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

•VGS = -10 V,ID = -30 A时,最大值rDS(on) = 1.8 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 26 A时,最大rDS(on) = 2.4 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 消费电子

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8018

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :175

  • PD Max (W)

    :83

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :28

  • Ciss Typ (pF)

    :3935

  • Package Type

    :PQFN-8

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