FDMS7650中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,267A,0.99mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS7650规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已针对低栅极电荷和极低rDS(ON)进行了优化。
特性 Features
•最大rDS(on) = 1.1 mO(VGS = 10 V, ID = 36 A)
•最大rDS(on) = 1.6 mO(VGS = 4.5 V, ID = 32 A)
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDMS7650
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:267
- PD Max (W)
:104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:1.55
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:0.99
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:43
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:63
- Ciss Typ (pF)
:11250
- Package Type
:PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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