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FDMS5672中文资料N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,60V,22A,11.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS5672

功能描述

N 沟道,UltraFET Trench® MOSFET,60V,22A,11.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 13:02:00

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FDMS5672规格书详情

描述 Description

UItraFET器件结合了各种特性,可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对rDS(on)、低ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化,这些器件是高频DC-DC转换器的理想选择。

特性 Features

•最大rDS(on) = 11.5mΩ(VGS = 10V, ID = 10.6A)
•VGS = 6V,ID = 8A时,Max rDS(on) = 16.5mΩ
•VGS = 10V时,Typ Qg = 32nC
•低密勒电荷
•优化高频率时的效率
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS5672

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :22

  • PD Max (W)

    :78

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :11.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :97

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :32

  • Ciss Typ (pF)

    :2100

  • Package Type

    :DFN-8

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