FDMS3669S中文资料不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V数据手册ONSEMI规格书
FDMS3669S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1： N 沟道
•VGS = 10 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 10mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 10 A时，最大rDS(on) = 14.5mΩQ2： N 沟道
•最大值 rDS(on) = 5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 18 A 时）
•最大值 rDS(on) = 5.2 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 17 A 时）
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3669S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.7
- ID Max (A)
：Q1: 13.0
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 14.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 10
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：13
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：1469
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Onsemi |
25+ |
N/A |
11842 |
原装现货17377264928微信同号 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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QFN |
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ON |
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QFN8 |
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ON |
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QFN8 |
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Power-56-8 |
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24+ |
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ON/安森美 |
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QFN8 |
6600 |
询价 | |||
ON/安森美 |
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QFN8 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
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