不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1： N 沟道 \n•VGS = 10 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 10mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 10 A时，最大rDS(on) = 14.5mΩQ2： N 沟道 \n•最大值 rDS(on) = 5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 18 A 时）\n•最大值 rDS(on) = 5.2 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 17 A 时）;

ONSEMI

安森美半导体

PowerTrench짰 Power Stage

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GTM

勤益投资控股

N P N E P I T A X I A L P L A N A R T R A N S I S T O R

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ETL

亚历电子

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GTM

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