FDMS3624S中文资料不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，25V数据手册ONSEMI规格书
FDMS3624S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1： N沟道
•VGS = 10 V，ID = 17.5 A时，最大rDS(on) = 5.0mΩ
•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
•符合RoHS标准
应用 Application
• 配电
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3624S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.0
- ID Max (A)
：Q1: 17.5
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 5.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 5.0
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：30
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：4045
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2450+ |
QFN |
6540 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
QFN8 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
9908 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
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FAIRCHILD |
原装 |
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询价 | |||
Fairchild/ON |
22+ |
Power56 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD原装 |
14+ |
QFN |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild |
20+ |
NA |
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三年内 |
1983 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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QFN8 |
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