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FDMS7620S中文资料双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS7620S

功能描述

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 15:53:00

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FDMS7620S规格书详情

描述 Description

该器件包含两个专用MOSFET,采用独特的双功率56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低开关损耗“高端”MOSFET通过一个低导通损耗“低端”SyncFET互补。

特性 Features

• Q1: N沟道
•VGS = 2 V且ID = 10.1 A时,最大rDS(on) = 20.0 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 7.5 A时,最大rDS(on) = 30.0 mΩ Q2: N沟道
•VGS = 2 V且ID = 12.4 A时,最大rDS(on) = 11.2 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 10.9 A时,最大rDS(on) = 14.2 mΩ

应用 Application

• 笔记本电脑

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS7620S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1: 13.0

  • PD Max (W)

    :Q1: 2.2; Q2: 2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :62

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.9

  • Ciss Typ (pF)

    :1050

  • Package Type

    :DFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
原装
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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23+
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