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FDMS7600AS数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS7600AS

功能描述

30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDMS7600AS规格书详情

描述 Description

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点,以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

特性 Features

• Q1:N沟道
• 最大值 RDS(on) = 7.5mΩ(VGS = 10V,ID = 12A)
• 最大值 RDS(on) = 12mΩ(VGS = 4.5V,ID = 10A)Q2:N沟道

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS7600AS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1: 30.0

  • PD Max (W)

    :Q1: 2.2; Q2: 2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 12.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :37

  • Ciss Typ (pF)

    :5265

  • Package Type

    :DFN-8

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