30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1：N沟道 \n• 最大值 RDS(on) = 7.5mΩ（VGS = 10V，ID = 12A）\n• 最大值 RDS(on) = 12mΩ（VGS = 4.5V，ID = 10A）Q2：N沟道;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 m廓 N-Channel: 30 V, 40 A, 2.8 m廓

文件：470.02 Kbytes 页数：12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

The FLASHWAVE 7600 Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM)

Innovations Lower Total Cost of Ownership The FLASHWAVE® 7600 Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM), global transport solution is one of the most efficient investments for regional long haul networks and single ultra long spans. The high-density design with reduced power and space require

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Fuji

富士通

1U Intel Xeon Quad Core Network Appliance With 10 LAN Ports

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AAEON

研扬科技

Aviia??Transmitter

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SEMTECH

先之科