30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1：N沟道 \n• 最大值 RDS(on) = 7.5mΩ（VGS = 10V，ID = 12A）\n• 最大值 RDS(on) = 12mΩ（VGS = 4.5V，ID = 10A）Q2：N沟道;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 m廓 N-Channel: 30 V, 40 A, 2.8 m廓

文件：470.02 Kbytes 页数：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

10 AMP PROGRAMMABLE INTEGRATED SWITCHING REGULATOR

文件：176.79 Kbytes 页数：3 Pages

TI

德州仪器

3-Phase Stepper Motor Driver ICs

文件：41.82 Kbytes 页数：5 Pages

SANKEN

三垦

GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package

DESCRIPTION TSAL7600 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: λp = 940 nm • High reliability • High

文件：80.47 Kbytes 页数：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司