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FDMS7660中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,2.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS7660

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,2.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 15:41:00

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FDMS7660规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 25 A时,最大rDS(on) = 2.8 mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 19 A时,最大rDS(on) = 3.5 mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•新一代的增强型体二极管技术,可实现软恢复。 在同步降压转换器应用中以最低的EMI提供类似于肖特基二极管的性能。
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS7660

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :42

  • PD Max (W)

    :83

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27

  • Ciss Typ (pF)

    :4185

  • Package Type

    :PQFN-8

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