N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 2.8 m廓

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast swi

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，2.8mΩ

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 10 V，ID = 25 A时，最大rDS(on) = 2.8 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 19 A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•新一代的增强型体二极管技术，可实现软恢复。 在同步降压转换器应用中以最低的EMI提供类似于肖特基二极管的性能。\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 SyncFET 30 V, 42 A, 2.4 m廓

General Description The FDMS7660AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of a

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，42A，2.4mΩ

FDMS7660AS设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 •VGS = 10 V，ID = 25 A时，最大rDS(on) = 2.4 mΩ\n•VGS = 7 V，ID = 23 A时，最大rDS(on) = 2.6 mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体