P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-82A，6.8mΩ

FDMS6673BZ旨在最大限度地减少负载开关应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。 •VGS = -10 V，ID = -15.2 A时，最大rDS(on) = 6.8 mΩ\n•VGS = -4.5 V，ID = -11.2 A时，最大rDS(on) = 12.5 mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)\n•HBM ESD保护等级 = 8 kV典型值 （注3）\n•MSL1耐用封装设计\n•符合RoHS标准;

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P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30 V, -28 A, 6.8 m?

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