N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，131A，2.5mΩ

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 26 A\n• Max rDS(on) = 3.6 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 21.5 A\n• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n• MSL1 robust package design\n• 100% UIL tested\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 42 A, 2.5 m廓

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Fairchild

仙童半导体

80 Amp Rectifier 20 to 45 Volts Schottky Barrier

Features • Metal of silicon rectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability

文件：87.28 Kbytes 页数：3 Pages

MCC

UL94V-0 PBT impeller & frame

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MECHATRONICS

DC AXIAL FANS

文件：370.44 Kbytes 页数：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商