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FDMS8023S数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS8023S

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,49A,2.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:10:00

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FDMS8023S规格书详情

描述 Description

FDMS8023S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合,在保持出色开关性能的同时,还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 26A时,最大rDS(on) = 2.4mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 23 A时,最大rDS(on) = 3.0mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•SyncFET肖特基体二极管
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8023S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :49

  • PD Max (W)

    :59

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :20

  • Ciss Typ (pF)

    :2670

  • Package Type

    :PQFN-8

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