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FDMS8023S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，49A，2.4mΩ FDMS8023S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。 •VGS = 10V，ID = 26A时，最大rDS(on) = 2.4mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 23 A时，最大rDS(on) = 3.0mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS8023S	文件：265.11 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM 30 V, 49 A, 2.4 m廓文件：265.11 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SI-8023	文件：59.74 Kbytes Page：5 Pages	Separate Excitation Switching Type 文件：59.74 Kbytes 页数：5 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
SI-8023B	文件：254.58 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING VOLTAGE REGULATOR [SANKEN] 文件：254.58 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SI-8023B	文件：254.67 Kbytes Page：2 Pages	Switching voltage regulator [SANKEN] 文件：254.67 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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