FDMS8025S数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS8025S规格书详情
描述 Description
FDMS8025S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合,在保持出色开关性能的同时,还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。
特性 Features
•VGS = 10 V,ID = 24 A时,最大rDS(on) = 2.8 mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 21 A时,最大rDS(on) = 3.5 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•SyncFET肖特基体二极管
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDMS8025S
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:49
- PD Max (W)
:50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:3.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:2.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:11
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16
- Ciss Typ (pF)
:2255
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
两年内 |
NA |
2137 |
实单价格可谈 |
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Fairchild |
23+ |
33500 |
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ONSEMI/安森美 |
24+ |
DFN8 |
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ON新财合 |
22+23+ |
DFN8 |
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QFN |
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FAIRCHILD |
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QFN |
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优势 |
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Fairchild |
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