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FDMS8050ET30数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS8050ET30

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,423A,0.65mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDMS8050ET30规格书详情

描述 Description

该 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已针对低栅极电荷和极低 rDS(on) 进行了优化。

特性 Features

• TJ额定值扩展:175°C
• 最大值 rDS(on) = 0.65 mΩ(VGS = 10 V,ID = 55 A)
• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 47 A)
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8050ET30

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :423

  • PD Max (W)

    :180

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :0.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.65

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :93

  • Ciss Typ (pF)

    :16150

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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