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FDMS8050ET30	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，423A，0.65mΩ 该 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低 rDS(on) 进行了优化。 • TJ额定值扩展：175°C\n• 最大值 rDS(on) = 0.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 55 A）\n• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 47 A）\n• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS8460	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMS86101	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN5x6	FAIRCHI 上传：深圳市亚泰盈科电子有限公司	FAIRCHI
FDMS86101	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power 56	INFINEON 英飞凌上传：深圳市壹芯创科技有限公司	INFINEON
FDMS86101DC	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	ON 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	ON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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中天科工半导体（深圳）有限公司	FDMS8050ET30	Fairchild	20+	8-PQFN	65790	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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更多FDMS8050ET30供应商更新时间2026-1-17 8:58:00