类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 49 A, 8 m?

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，60A，8mΩ

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •最大值 rDS(on) = 8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 13 A）\n•VGS = 6 V，ID = 9.5 A时，最大rDS(on) = 13.5mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

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N-Channel Dual CoolTM Power Trench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 7.5 m廓

Dual Cool™ packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance flexibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

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仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Source Voltage- : VDSS=100V(Min) ·Fast Switching Speed ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Primary DC-DC MOSFET ·Secondary Synchronous Rectifier ·Load Switch

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无锡固电

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs

Dual Cool™ packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance flexibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 8 m廓

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 8 m廓

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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，60A，8mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • Shielded Gate MOSFET Technology\n•VGS = 10V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 9.5 A时，最大rDS(on) = 13.5mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•100%经过Rg测试\n•符合RoHS标准;

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