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FDMS86101中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,60A,8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86101

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,60A,8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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FDMS86101规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•最大值 rDS(on) = 8 mΩ(VGS = 10 V, ID = 13 A)
•VGS = 6 V,ID = 9.5 A时,最大rDS(on) = 13.5mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86101

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :60

  • PD Max (W)

    :104

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22

  • Ciss Typ (pF)

    :2255

  • Package Type

    :PQFN-8

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