FDMS86101数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86101规格书详情
描述 Description
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•最大值 rDS(on) = 8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 13 A）
•VGS = 6 V，ID = 9.5 A时，最大rDS(on) = 13.5mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86101
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：60
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：22
- Ciss Typ (pF)
：2255
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
MLP5X6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FCS |
25+ |
PQFN-8L |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
Power56 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMS86101即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/FAIRCH |
2019 |
PQFN-8L |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
ON |
22+ |
Power 56 |
30000 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
询价 | ||
ON |
2024+ |
Power 56 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ON |
2430+ |
POWER56 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
onsemi/安森美 |
两年内 |
NA |
3488 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
19+ |
QFN8 |
279 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
